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高PSRR/低噪声RF射频 LDO IC

高PSRR/低噪声RF射频 LDO IC概览
型号 电路类型 最大输出电流 最大输入电压 最大输入耐压 输出电压 精度 静态电流 压差 输入/出电容 特征 封装形式
HM1156 带使能端LDO 500mA 6.5V 8.0V 1.2/1.5/1.8/2.5/2.8/3.0/3.3V 2% 50uA 0.22V/Vout=3.3V/200mA Cin=Cout=1uF 高纹波抑制比(PSRR):75dB@1KHz和55dB@1MHz,低至1uF输入/输出电容,低压差:220mV@200mA,带500mA限流保护,可用于射频/高频无线等对纹波干扰要求比较高的应用场合 SOT-25/DFN1*1-4