MOS管/IGBT 栅极驱动IC
MOS管/IGBT 栅极驱动IC概览
| 型号 | 工作电压 | 静态电流 | I/O拉电流 | I/O灌电流 | 上升时间 | 下降时间 | 开延时 | 关延时 | 死区时间 | 工作温度范围 | 封装 | 特性 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HM44273 | ||||||||||||
| HM8324 | ||||||||||||
| HM2101 | 8V-20V/高端工作电压600V | 50uA | 1A | 1A | 30nS | 30nS | 110nS | 120nS | 120nS | -40-125 ℃ | SOP-8 | 支持3.3V/5.0V/15V逻辑电压，内置欠压保护/死区控制/防闭锁直通，输入/输出同相 |
| HM2101K | 6V-20V/高端工作电压250V | 160uA | 1.2A | 1.5A | 50nS | 40nS | 150nS | 140nS | 200nS | -40-125 ℃ | SOP-8 | 支持3.3V/5.0V/15V逻辑电压，内置欠压保护/死区控制/防闭锁直通，输入/输出同相 |
| HM2103K | 6V-20V/高端工作电压250V | 160uA | 1.2A | 1.5A | 50nS | 40nS | 150nS | 140nS | 200nS | -40-125 ℃ | SOP-8 | 支持3.3V/5.0V/15V逻辑电压，内置欠压保护/死区控制/防闭锁直通，高端输入/输出同相，低端输入/输出反相 |