高PSRR/低噪声RF射频 LDO IC
高PSRR/低噪声RF射频 LDO IC概览
型号 | 电路类型 | 最大输出电流 | 最大输入电压 | 最大输入耐压 | 输出电压 | 精度 | 静态电流 | 压差 | 输入/出电容 | 特征 | 封装形式 |
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HM1156 | 带使能端LDO | 500mA | 6.5V | 8.0V | 1.2/1.5/1.8/2.5/2.8/3.0/3.3V | 2% | 50uA | 0.22V/Vout=3.3V/200mA | Cin=Cout=1uF | 高纹波抑制比(PSRR):75dB@1KHz和55dB@1MHz,低至1uF输入/输出电容,低压差:220mV@200mA,带500mA限流保护,可用于射频/高频无线等对纹波干扰要求比较高的应用场合 | SOT-25/DFN1*1-4 |